Diode 650 V 6A Montage en surface 5-DFN (8x8)
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WNSC06650T6J

Numéro de produit DigiKey
1740-WNSC06650T6JTR-ND - Bande et bobine
1740-WNSC06650T6JCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
WeEn Semiconductors
Numéro de produit du fabricant
WNSC06650T6J
Description
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Référence client
Description détaillée
Diode 650 V 6A Montage en surface 5-DFN (8x8)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
WeEn Semiconductors
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Statut du composant
Obsolète
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
6A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.7 V @ 6 A
Vitesse
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
40 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F
190pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
4-VSFN plot exposé
Boîtier fournisseur
5-DFN (8x8)
Température de fonctionnement - Jonction
175°C (maxi)
Numéro de produit de base
WNSC0
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Obsolète
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