Name: SQJB44EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJB44EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.316 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SQJB44EP-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQJB44EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQJB44EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQJB44EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJB44EP-T1_GE3
Description	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	39 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 30 A (Tc) 48W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQJB44EP-T1_GE3 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 50nC à 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3075pF à 25V
Série TrenchFET®	Puissance - Max. 48W (Tc)
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Statut du composant Actif	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40V	Boîtier powerPAK® SO-8 double
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc)	Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,2mohms à 8A, 10V	Numéro de produit de base SQJB44
Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA