
SQJ992EP-T2_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SQJ992EP-T2_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQJ992EP-T2_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQJ992EP-T2_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ992EP-T2_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 15 A (Tc) 34W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ992EP-T2_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12nC à 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 446pF à 30V |
Série | Puissance - Max. 34W (Tc) |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 60V | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 15 A (Tc) | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Rds On (max.) à Id, Vgs 56,2mohms à 3,7A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,34000 € | 1,34 € |
| 10 | 0,85100 € | 8,51 € |
| 100 | 0,56540 € | 56,54 € |
| 500 | 0,44312 € | 221,56 € |
| 1 000 | 0,40375 € | 403,75 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,35376 € | 1 061,28 € |
| 6 000 | 0,32860 € | 1 971,60 € |
| 9 000 | 0,31578 € | 2 842,02 € |
| 15 000 | 0,30139 € | 4 520,85 € |
| 21 000 | 0,29449 € | 6 184,29 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,34000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,60800 € |


