MOSFET - Matrices 60V 23,5 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double
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SQJ968EP-T1_GE3

Numéro de produit DigiKey
SQJ968EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine
SQJ968EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SQJ968EP-T1_GE3
Description
MOSFET 2N-CH 60V 23.5A PPAK SO8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
23 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 60V 23,5 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SQJ968EP-T1_GE3 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
18,5nC à 10V
Fabricant
Vishay Siliconix
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
714pF à 30V
Série
Puissance - Max.
42W (Tc)
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TA)
Statut du composant
Actif
Grade
Automobile
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Qualification
AEC-Q101
Configuration
2 canaux N (double)
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
60V
Boîtier
powerPAK® SO-8 double
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
23,5 A (Tc)
Boîtier fournisseur
powerPAK® SO-8 double
Rds On (max.) à Id, Vgs
33,6mohms à 4,8A, 10V
Numéro de produit de base
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 3 425
Vérifier les stocks entrants supplémentaires
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
11,48000 €1,48 €
100,93900 €9,39 €
1000,62770 €62,77 €
5000,49402 €247,01 €
1 0000,45098 €450,98 €
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,39636 €1 189,08 €
6 0000,36887 €2 213,22 €
9 0000,35487 €3 193,83 €
15 0000,33914 €5 087,10 €
21 0000,33656 €7 067,76 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:1,48000 €
Prix unitaire avec TVA:1,77600 €