Name: SQJ963EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ963EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.664 EUR
Availability: InStock

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SQJ963EP-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQJ963EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ963EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJ963EP-T1_GE3
Description	MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 8 A (Tc) 27W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQJ963EP-T1_GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	85mohms à 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	40nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1140pF à 30V
Puissance - Max.	27W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TA)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	powerPAK® SO-8 double
Boîtier fournisseur	powerPAK® SO-8 double
Numéro de produit de base	SQJ963