Name: SQJ940EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ940EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.184 EUR
Availability: InStock

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SQJ940EP-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQJ940EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ940EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ940EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJ940EP-T1_GE3
Description	MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 15 A (Ta), 18 A (Tc) 48W, 43W Montage en surface PowerPAK® SO-8 double asymétrique
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20nC à 20V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 896pF à 20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 48W, 43W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Configuration 2 canaux N (double)	Qualification AEC-Q101
Fonction FET Porte de niveau logique	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40V	Boîtier powerPAK® SO-8 double
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 15 A (Ta), 18 A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8 double asymétrique
Rds On (max.) à Id, Vgs 16mohms à 15A, 10V	Numéro de produit de base SQJ940