
SQJ560EP-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQJ560EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ560EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ560EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ560EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 39 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 30 A (Tc), 18 A (Tc) 34W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ560EP-T1_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30nC à 10V, 45nC à 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1650pF à 25V |
Série | Puissance - Max. 34W (Tc) |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration Canaux N et P | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 60V | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc), 18 A (Tc) | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 10A, 10V, 52,6mohms à 10A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,84000 € | 1,84 € |
| 10 | 1,17800 € | 11,78 € |
| 100 | 0,79610 € | 79,61 € |
| 500 | 0,63262 € | 316,31 € |
| 1 000 | 0,58005 € | 580,05 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,51332 € | 1 539,96 € |
| 6 000 | 0,47975 € | 2 878,50 € |
| 9 000 | 0,46265 € | 4 163,85 € |
| 15 000 | 0,45501 € | 6 825,15 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,84000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,20800 € |











