Name: SQJ500AEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ500AEP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.34 EUR
Availability: InStock

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SQJ500AEP-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQJ500AEP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ500AEP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ500AEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJ500AEP-T1_GE3
Description	MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 30 A (Tc) 48W Montage en surface powerPAK® SO-8 double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQJ500AEP-T1_GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 38,1nC à 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1850pF à 20V
Série TrenchFET®	Puissance - Max. 48W
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Statut du composant Actif	Grade Automobile
Configuration Canaux N et P	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 40V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc)	Boîtier powerPAK® SO-8 double
Rds On (max.) à Id, Vgs 27mohms à 6A, 10V	Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double
Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 250µA	Numéro de produit de base SQJ500