
SQJ200EP-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQJ200EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ200EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ200EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ200EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 23 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 20A, 60A 27W, 48W Montage en surface PowerPAK® SO-8 double asymétrique |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ200EP-T1_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18nC à 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 975pF à 10V |
Série | Puissance - Max. 27W, 48W |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 20V | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20A, 60A | Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8 double asymétrique |
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,8mohms à 16A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,59000 € | 1,59 € |
| 10 | 1,00900 € | 10,09 € |
| 100 | 0,67650 € | 67,65 € |
| 500 | 0,53404 € | 267,02 € |
| 1 000 | 0,48822 € | 488,22 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,43002 € | 1 290,06 € |
| 6 000 | 0,40073 € | 2 404,38 € |
| 9 000 | 0,38582 € | 3 472,38 € |
| 15 000 | 0,37024 € | 5 553,60 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,59000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,90800 € |

