Name: SQ1470AEH-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ1470AEH-T1_GE3TR-ND
Price: 0.888 EUR
Availability: InStock

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SQ1470AEH-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQ1470AEH-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQ1470AEH-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQ1470AEH-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ1470AEH-T1_GE3
Description	MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 1,7 A (Tc) 3,3W (Tc) Montage en surface SC-70-6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQ1470AEH-T1_GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	65mohms à 4,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,6V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	5.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	450 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,3W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-70-6
Boîtier	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base	SQ1470