Name: SIZF5300DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF5300DT-T1-GE3TR-ND
Price: 3.276 EUR
Availability: InStock

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SIZF5300DT-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIZF5300DT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIZF5300DT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIZF5300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIZF5300DT-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 35A (Ta), 125A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) Montage en surface PowerPAIR® 3x3FS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIZF5300DT-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32nC à 10V
Série TrenchFET® Gen V	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1480pF à 15V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 4,5W (Ta), 56,8W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux N (double)	Boîtier 12-PowerPair™
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur PowerPAIR® 3x3FS
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35A (Ta), 125A (Tc)	Numéro de produit de base SIZF5300
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,43mohms à 10A, 10V