Name: SIZ902DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ902DT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.22 EUR
Availability: OutOfStock

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SIZ902DT-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIZ902DT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIZ902DT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIZ902DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIZ902DT-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 16A 29W, 66W Montage en surface 8-PowerPair® (6x5)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 13,8A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 21nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 790pF à 15V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 29W, 66W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (demi-pont)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-PowerWDFN
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 8-PowerPair® (6x5)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 16A	Numéro de produit de base SIZ902

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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Bande et bobine

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Prix unitaire sans TVA:	1,85000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,22000 €

SIZ902DT-T1-GE3