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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIZ710DT-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIZ710DT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIZ710DT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIZ710DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIZ710DT-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 16 A, 35 A 27W, 48W Montage en surface 6-PowerPair™ |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIZ710DT-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 6,8mohms à 19A, 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 820pF à 10V |
Statut du composant Obsolète | Puissance - Max. 27W, 48W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (demi-pont) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 6-PowerPair™ |
Tension drain-source (Vdss) 20V | Boîtier fournisseur 6-PowerPair™ |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 16 A, 35 A | Numéro de produit de base |
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Obsolète
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