SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | Matrices de FET, MOSFET

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SIZ300DT-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIZ300DT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIZ300DT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIZ300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIZ300DT-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 30V 11A 8POWERPAIR
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 11 A, 28 A 16,7W, 31W Montage en surface 8-PowerPair®
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIZ300DT-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 24mohms à 9,8A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 400pF à 15V
Statut du composant Obsolète	Puissance - Max. 16,7W, 31W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (demi-pont)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-PowerWDFN
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 8-PowerPair®
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11 A, 28 A	Numéro de produit de base SIZ300

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
SIZ342BDT-T1-GE3	Vishay Siliconix	5 300	742-SIZ342BDT-T1-GE3CT-ND	1,07000 €	Recommandation fabricant
FDMC7200	onsemi	21	FDMC7200CT-ND	0,98000 €	Similaire
FDMC7200S	onsemi	2 210	FDMC7200SCT-ND	1,22000 €	Similaire

Obsolète

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SIZ300DT-T1-GE3