Name: SISS5112DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5112DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.74 EUR
Availability: InStock

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SISS5112DN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SISS5112DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISS5112DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISS5112DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SISS5112DN-T1-GE3
Description	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	28 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 11A (Ta), 40,7A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SISS5112DN-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11A (Ta), 40,7A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	7,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	14,9mohms à 10 A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	790 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® 1212-8S
Boîtier	PowerPAK® 1212-8S
Numéro de produit de base	SISS5112