Name: SISF20DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISF20DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.64 EUR
Availability: OutOfStock

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SISF20DN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SISF20DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISF20DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISF20DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SISF20DN-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 14 A (Ta), 52 A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SCD double
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33nC à 10V
Série TrenchFET® Gen IV	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1290pF à 30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 5,2W (Ta), 69,4W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux N (double)	Boîtier PowerPAK® 1212-8SCD double
Tension drain-source (Vdss) 60V	Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8SCD double
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14 A (Ta), 52 A (Tc)	Numéro de produit de base SISF20
Rds On (max.) à Id, Vgs 13mohms à 7A, 10V

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
3 000	0,59289 €	1 778,67 €
6 000	0,58123 €	3 487,38 €

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	2,20000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,64000 €

SISF20DN-T1-GE3