
SISF00DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SISF00DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISF00DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISF00DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 60 A (Tc) 69,4W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SCD double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISF00DN-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 à canal N (double), drain commun | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 60 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 5mohms à 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,1V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 53nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 2700pF à 15V | |
Puissance - Max. | 69,4W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | PowerPAK® 1212-8SCD double | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® 1212-8SCD double | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,07000 € | 2,07 € |
| 10 | 1,32800 € | 13,28 € |
| 100 | 0,90360 € | 90,36 € |
| 500 | 0,72180 € | 360,90 € |
| 1 000 | 0,66336 € | 663,36 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,58919 € | 1 767,57 € |
| 6 000 | 0,55188 € | 3 311,28 € |
| 9 000 | 0,53374 € | 4 803,66 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,07000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,48400 € |










