MOSFET - Matrices 30V 60 A (Tc) 69,4W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SCD double
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SISF00DN-T1-GE3

Numéro de produit DigiKey
SISF00DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
SISF00DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SISF00DN-T1-GE3
Description
MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
55 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 60 A (Tc) 69,4W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SCD double
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SISF00DN-T1-GE3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 à canal N (double), drain commun
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
60 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
5mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
53nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2700pF à 15V
Puissance - Max.
69,4W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
PowerPAK® 1212-8SCD double
Boîtier fournisseur
PowerPAK® 1212-8SCD double
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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En stock: 24 071
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Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
12,07000 €2,07 €
101,32800 €13,28 €
1000,90360 €90,36 €
5000,72180 €360,90 €
1 0000,66336 €663,36 €
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,58919 €1 767,57 €
6 0000,55188 €3 311,28 €
9 0000,53374 €4 803,66 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:2,07000 €
Prix unitaire avec TVA:2,48400 €