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SISB46DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SISB46DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISB46DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISB46DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISB46DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 17 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 40V 34 A (Tc) 23W Montage en surface powerPAK® 1212-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISB46DN-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 40V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 34 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 11,71mohms à 5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,2V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 11nC à 4,5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1100pF à 20V | |
Puissance - Max. | 23W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® 1212-8 double | |
Boîtier fournisseur | powerPAK® 1212-8 double | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,35000 € | 1,35 € |
| 10 | 0,85300 € | 8,53 € |
| 100 | 0,56750 € | 56,75 € |
| 500 | 0,44482 € | 222,41 € |
| 1 000 | 0,40532 € | 405,32 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,35517 € | 1 065,51 € |
| 6 000 | 0,32993 € | 1 979,58 € |
| 9 000 | 0,31708 € | 2 853,72 € |
| 15 000 | 0,30263 € | 4 539,45 € |
| 21 000 | 0,29587 € | 6 213,27 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,35000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,62000 € |









