Name: SIS990DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS990DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.488 EUR
Availability: InStock

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SIS990DN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIS990DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS990DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS990DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIS990DN-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	33 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 12,1A 25W Montage en surface powerPAK® 1212-8 double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIS990DN-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12,1A
Rds On (max.) à Id, Vgs	85mohms à 8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	250pF à 50V
Puissance - Max.	25W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	powerPAK® 1212-8 double
Boîtier fournisseur	powerPAK® 1212-8 double
Numéro de produit de base	SIS990