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Nouveaux produits chez DigiKey
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIS9122DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SIS9122DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS9122DN-T1-GE3 |
Description | DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOS |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 100V 2,5A (Ta), 7,1A (Tc) 2,3W (Ta), 17,8W (Tc) Montage en surface powerPAK® 1212-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 100V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 2,5A (Ta), 7,1A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 160mohms à 2,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 6nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 210pF à 50V | |
Puissance - Max. | 2,3W (Ta), 17,8W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® 1212-8 double | |
Boîtier fournisseur | powerPAK® 1212-8 double |
Disponible sur commande
Vérifier le délai d'approvisionnement
Ce produit n'est pas maintenu en stock chez DigiKey. Le délai d'approvisionnement indiqué s'applique à l'expédition du fabricant à DigiKey. À réception du produit, DigiKey procédera à l'expédition pour satisfaire les commandes en cours.
Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 6 000 | 0,36009 € | 2 160,54 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,36009 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,43211 € |
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