
SIRB40DP-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIRB40DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIRB40DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIRB40DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIRB40DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 40V 40 A (Tc) 46,2W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIRB40DP-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 40V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 40 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 3,25mohms à 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 45nC à 4,5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 4290pF à 20V | |
Puissance - Max. | 46,2W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® SO-8 double | |
Boîtier fournisseur | powerPAK® SO-8 double | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,14000 € | 2,14 € |
| 10 | 1,37600 € | 13,76 € |
| 100 | 0,93780 € | 93,78 € |
| 500 | 0,75030 € | 375,15 € |
| 1 000 | 0,69002 € | 690,02 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,61351 € | 1 840,53 € |
| 6 000 | 0,57502 € | 3 450,12 € |
| 9 000 | 0,55923 € | 5 033,07 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,14000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,56800 € |




