Name: SIR516DP-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR516DP-T1-BE3TR-ND
Price: 2.604 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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SIR516DP-T1-BE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIR516DP-T1-BE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIR516DP-T1-BE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIR516DP-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIR516DP-T1-BE3
Description	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	53 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 16,8A (Ta), 63,7A (Tc) 5W (Ta), 71,4W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET® Gen V
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	16,8A (Ta), 63,7A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	7,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1920 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	5W (Ta), 71,4W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8
Boîtier	PowerPAK® SO-8