
SIJ482DP-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIJ482DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIJ482DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIJ482DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 33 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 80 V 60 A (Tc) 5W (Ta), 69,4W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIJ482DP-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 80 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 6,2mohms à 20A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,7V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 71 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 2425 pF @ 40 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 5W (Ta), 69,4W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® SO-8 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,19000 € | 2,19 € |
| 10 | 1,40600 € | 14,06 € |
| 100 | 0,96230 € | 96,23 € |
| 500 | 0,77242 € | 386,21 € |
| 1 000 | 0,76645 € | 766,45 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,63389 € | 1 901,67 € |
| 6 000 | 0,62618 € | 3 757,08 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,19000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,62800 € |











