


SIDR870ADP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIDR870ADP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIDR870ADP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIDR870ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIDR870ADP-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 33 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 95 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8DC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIDR870ADP-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 100 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 6,6mohms à 20A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 80 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 2866 pF @ 50 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 125W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® SO-8DC | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,40000 € | 2,40 € |
| 10 | 1,55400 € | 15,54 € |
| 100 | 1,06930 € | 106,93 € |
| 500 | 0,87416 € | 437,08 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,71417 € | 2 142,51 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,40000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,88000 € |











