Name: SIA533EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA533EDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.972 EUR
Availability: InStock

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SIA533EDJ-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIA533EDJ-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIA533EDJ-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIA533EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIA533EDJ-T1-GE3
Description	MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 12V 4,5A 7,8W Montage en surface PowerPAK® SC-70-6 double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIA533EDJ-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 34mohms à 4,6A, 4,5V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 420pF à 6V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 7,8W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration Canaux N et P	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier PowerPAK® SC-70-6 double
Tension drain-source (Vdss) 12V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SC-70-6 double
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,5A	Numéro de produit de base SIA533

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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