Name: SI8818EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI8818EDB-T2-E1TR-ND
Price: 0.11294 EUR
Availability: OutOfStock

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SI8818EDB-T2-E1
Numéro de produit DigiKey	742-SI8818EDB-T2-E1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI8818EDB-T2-E1
Description	N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	10 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 1,6 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface 4-Microfoot

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	128mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	206 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	4-Microfoot
Boîtier	4-XFBGA, CSPBGA

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Bande et bobine