Name: SI7972DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI7972DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.704 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SI7972DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SI7972DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI7972DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI7972DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI7972DP-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	33 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 8 A (Tc) 22W Montage en surface powerPAK® SO-8 double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI7972DP-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	18mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,7V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1050pF à 30V
Puissance - Max.	22W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	powerPAK® SO-8 double
Boîtier fournisseur	powerPAK® SO-8 double
Numéro de produit de base	SI7972