SI7478DP-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Fiche technique
SIR401DP-T1-GE3
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SI7478DP-T1-GE3

Numéro de produit DigiKey
SI7478DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SI7478DP-T1-GE3
Description
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 15 A (Ta) 1,9W (Ta) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
7,5mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1,9W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PowerPAK® SO-8
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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Obsolète
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