Name: SI6562CDQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.692 EUR
Availability: InStock

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SI6562CDQ-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI6562CDQ-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI6562CDQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI6562CDQ-T1-GE3
Description	MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 6,7 A, 6,1 A 1,6W, 1,7W Montage en surface 8-TSSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI6562CDQ-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 22mohms à 5,7A, 4,5V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 850pF à 10V
Statut du composant Date de dernière disponibilité	Puissance - Max. 1,6W, 1,7W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration Canaux N et P	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-TSSOP (0,173po, 4,40mm de largeur)
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur 8-TSSOP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,7 A, 6,1 A	Numéro de produit de base SI6562

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Date de dernière disponibilité : 31/10/2026

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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Bande et bobine