Name: SI5922DU-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI5922DU-T1-GE3TR-ND
Price: 0.984 EUR
Availability: InStock

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SI5922DU-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SI5922DU-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI5922DU-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI5922DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI5922DU-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 6 A (Tc) 10,4W Montage en surface PowerPAK® ChipFet double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI5922DU-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 7,1nC à 4,5V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 765pF à 15V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 10,4W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux N (double)	Boîtier PowerPAK® ChipFet double
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur PowerPAK® ChipFet double
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc)	Numéro de produit de base SI5922
Rds On (max.) à Id, Vgs 19,2mohms à 5A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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