Name: SI5515CDC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5515CDC-T1-GE3TR-ND
Price: 1.248 EUR
Availability: InStock

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SI5515CDC-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI5515CDC-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI5515CDC-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI5515CDC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI5515CDC-T1-GE3
Description	MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 4A 3,1W Montage en surface 1206-8 ChipFET™
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI5515CDC-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4A
Rds On (max.) à Id, Vgs	36mohms à 6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	800mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11,3nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	632pF à 10V
Puissance - Max.	3,1W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SMD, broches plates
Boîtier fournisseur	1206-8 ChipFET™
Numéro de produit de base	SI5515