Name: SI4948BEY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4948BEY-T1-E3TR-ND
Price: 2.028 EUR
Availability: InStock

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SI4948BEY-T1-E3
Numéro de produit DigiKey	SI4948BEY-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI4948BEY-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4948BEY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI4948BEY-T1-E3
Description	MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	11 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 2,4A 1,4W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI4948BEY-T1-E3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 120mohms à 3,1A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 1,4W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux P (double)	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Tension drain-source (Vdss) 60V	Numéro de produit de base SI4948
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,4A

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Documents et supports

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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