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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI4925DDY-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI4925DDY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4925DDY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4925DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4925DDY-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 8A 5W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4925DDY-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA |
Fabricant Vishay Siliconix | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 50nC à 10V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1350pF à 15V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 5W |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 canaux P (double) | Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier fournisseur 8-SOIC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8A | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 29mohms à 7,3A, 10V |
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En stock: 67 904
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,38000 € | 1,38 € |
| 10 | 0,86900 € | 8,69 € |
| 100 | 0,57780 € | 57,78 € |
| 500 | 0,45324 € | 226,62 € |
| 1 000 | 0,41313 € | 413,13 € |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,36972 € | 924,30 € |
| 5 000 | 0,34289 € | 1 714,45 € |
| 7 500 | 0,32923 € | 2 469,23 € |
| 12 500 | 0,31388 € | 3 923,50 € |
| 17 500 | 0,30479 € | 5 333,82 € |
| 25 000 | 0,30278 € | 7 569,50 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,38000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,65600 € |
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