
SI4925DDY-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI4925DDY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4925DDY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4925DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4925DDY-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 54 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 8A 5W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4925DDY-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux P (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 8A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 29mohms à 7,3A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 50nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1350pF à 15V | |
Puissance - Max. | 5W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,29000 € | 1,29 € |
| 10 | 0,81800 € | 8,18 € |
| 100 | 0,54410 € | 54,41 € |
| 500 | 0,42676 € | 213,38 € |
| 1 000 | 0,38901 € | 389,01 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,34813 € | 870,32 € |
| 5 000 | 0,32287 € | 1 614,35 € |
| 7 500 | 0,31001 € | 2 325,08 € |
| 12 500 | 0,30506 € | 3 813,25 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,29000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,54800 € |











