Name: SI4816BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4816BDY-T1-E3TR-ND
Price: 2.58 EUR
Availability: InStock

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SI4816BDY-T1-E3
Numéro de produit DigiKey	SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI4816BDY-T1-E3
Description	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 5,8 A, 8,2 A 1W, 1,25W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI4816BDY-T1-E3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 18,5mohms à 6,8A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Série LITTLE FOOT®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10nC à 5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 1W, 1,25W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux N (demi-pont)	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Tension drain-source (Vdss) 30V	Numéro de produit de base SI4816
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,8 A, 8,2 A