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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI4808DY-T1-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI4808DY-T1-E3-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4808DY-T1-E3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 5,7A 1,1W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 5,7A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 22mohms à 7,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 800mV à 250µA (min) | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 20nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | - | |
Puissance - Max. | 1,1W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Numéro de produit de base |
Manufacturer Quote Required
This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.
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