
SI4564DY-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI4564DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4564DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4564DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4564DY-T1-GE3 |
Description | MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 49 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 40V 10 A, 9,2 A 3,1W, 3,2W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4564DY-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | Canaux N et P | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 40V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 10 A, 9,2 A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 17,5mohms à 8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 31nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 855pF à 20V | |
Puissance - Max. | 3,1W, 3,2W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,65000 € | 1,65 € |
| 10 | 1,05300 € | 10,53 € |
| 100 | 0,71010 € | 71,01 € |
| 500 | 0,56308 € | 281,54 € |
| 1 000 | 0,52406 € | 524,06 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,46459 € | 1 161,47 € |
| 5 000 | 0,43297 € | 2 164,85 € |
| 7 500 | 0,42815 € | 3 211,12 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,65000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,98000 € |










