
SI4564DY-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI4564DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4564DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4564DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4564DY-T1-GE3 |
Description | MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 40V 10 A, 9,2 A 3,1W, 3,2W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4564DY-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 17,5mohms à 8A, 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 31nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 855pF à 20V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 3,1W, 3,2W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration Canaux N et P | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) |
Tension drain-source (Vdss) 40V | Boîtier fournisseur 8-SOIC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A, 9,2 A | Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,76000 € | 1,76 € |
| 10 | 1,11800 € | 11,18 € |
| 100 | 0,75420 € | 75,42 € |
| 500 | 0,59798 € | 298,99 € |
| 1 000 | 0,54776 € | 547,76 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,49340 € | 1 233,50 € |
| 5 000 | 0,45981 € | 2 299,05 € |
| 7 500 | 0,44271 € | 3 320,32 € |
| 12 500 | 0,42495 € | 5 311,88 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,76000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,11200 € |










