Name: SI4532CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4532CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.164 EUR
Availability: InStock

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SI4532CDY-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI4532CDY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4532CDY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4532CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI4532CDY-T1-GE3
Description	MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 6 A, 4,3 A 2,78W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI4532CDY-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9nC à 10V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 305pF à 15V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 2,78W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration Canaux N et P	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A, 4,3 A	Numéro de produit de base SI4532
Rds On (max.) à Id, Vgs 47mohms à 3,5A, 10V