Name: SI1922EDH-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1922EDH-T1-GE3TR-ND
Price: 0.78 EUR
Availability: InStock

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SI1922EDH-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI1922EDH-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI1922EDH-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI1922EDH-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI1922EDH-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 1,3A 1,25W Montage en surface SC-70-6
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 198mohms à 1A, 4,5V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 2,5nC à 8V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 1,25W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux N (double)	Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier fournisseur SC-70-6
Tension drain-source (Vdss) 20V	Numéro de produit de base SI1922
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,3A

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Documents et supports

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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Bande et bobine