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Substituts disponibles:

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Fiche technique
SIHP23N60E-GE3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRFB18N50K

Numéro de produit DigiKey
IRFB18N50K-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRFB18N50K
Description
MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 17 A (Tc) 220W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRFB18N50K Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
290mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2830 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
220W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220AB
Boîtier
Numéro de produit de base
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