Name: VS-3C10ET12S2L-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-3C10ET12S2L-M3TR-ND
Price: 6.756 EUR
Availability: InStock

Diode 1200 V 10A Montage en surface TO-263AB (D2PAK)

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VS-3C10ET12S2L-M3
Numéro de produit DigiKey	112-VS-3C10ET12S2L-M3TR-ND - Bande et bobine 112-VS-3C10ET12S2L-M3CT-ND - Bande coupée (CT) 112-VS-3C10ET12S2L-M3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant	VS-3C10ET12S2L-M3
Description	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO263AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 1200 V 10A Montage en surface TO-263AB (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples	Vitesse Temps de récupération nul > 500mA (Io)
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Courant - Fuite inverse à Vr 60 µA @ 1200 V
Statut du composant Actif	Capacité à Vr, F 38pF à 800V, 1MHz
Technologies SiC (Silicon Carbide) Schottky	Type de montage Montage en surface
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 1200 V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Courant - Moyen redressé (Io) 10A	Boîtier fournisseur TO-263AB (D2PAK)
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.5 V @ 10 A	Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C