US1JHE3/61T est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Direct


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 193
Prix unitaire : 0,52000 €
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En stock: 10 000
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En stock: 55 055
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En stock: 43 199
Prix unitaire : 0,45000 €
Fiche technique
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US1JHE3/61T

Numéro de produit DigiKey
US1JHE3/61TGITR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
US1JHE3/61T
Description
DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Référence client
Description détaillée
Diode 600 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Temps de recouvrement inverse (trr)
75 ns
Fabricant
Courant - Fuite inverse à Vr
10 µA @ 600 V
Conditionnement
Bande et bobine
Capacité à Vr, F
10pF à 4V, 1MHz
Statut du composant
Obsolète
Type de montage
Technologies
Boîtier
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
600 V
Boîtier fournisseur
DO-214AC (SMA)
Courant - Moyen redressé (Io)
1A
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 150°C
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.7 V @ 1 A
Numéro de produit de base
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (18)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
US1JHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes Division193US1JHE3_A/HGICT-ND0,52000 €Direct
CURA103-GComchip Technology10 000641-1186-1-ND0,54000 €Similaire
CURA104-GComchip Technology10 000641-1187-1-ND0,54000 €Similaire
CURA107-GComchip Technology8 043641-1188-1-ND0,54000 €Similaire
ES1Jonsemi391 502ES1JFSCT-ND0,43000 €Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.