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US1BHE3_A/I | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | US1BHE3_A/I-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | US1BHE3_A/I |
Description | DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 100 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 10 µA @ 100 V |
Fabricant | Capacité à Vr, F 15pF à 4V, 1MHz |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 100 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Boîtier fournisseur DO-214AC (SMA) |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1 V @ 1 A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | Numéro de produit de base |
Temps de recouvrement inverse (trr) 50 ns |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| US1B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | US1B-E3/5ATGICT-ND | 0,08393 € | Équivalent paramétrique |
| US1B-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5 808 | US1B-E3/61TGICT-ND | 0,55000 € | Équivalent paramétrique |
| US1B-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | US1B-M3/61T-ND | 0,11531 € | Équivalent paramétrique |
| US1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | US1BHE3_A/H-ND | 0,12376 € | Équivalent paramétrique |
| EGF1B | onsemi | 135 649 | EGF1BCT-ND | 0,97000 € | Mise à niveau |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 7 500 | 0,11272 € | 845,40 € |
| 15 000 | 0,10399 € | 1 559,85 € |
| 22 500 | 0,09955 € | 2 239,88 € |
| 37 500 | 0,09456 € | 3 546,00 € |
| 52 500 | 0,09328 € | 4 897,20 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,11272 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,13526 € |




