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S3AHE3_A/H | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | S3AHE3_A/H-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | S3AHE3_A/H |
Description | DIODE STANDARD 50V 3A DO214AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 50 V 3A Montage en surface DO-214AB (SMC) |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 10 µA @ 50 V |
Fabricant | Capacité à Vr, F 60pF à 4V, 1MHz |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 50 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 3A | Boîtier fournisseur DO-214AB (SMC) |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.15 V @ 2.5 A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Vitesse Récupération standard >500ns, > 200mA (Io) | Numéro de produit de base |
Temps de recouvrement inverse (trr) 2.5 µs |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| S3A-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 974 | S3A-E3/57TGICT-ND | 0,65000 € | Équivalent paramétrique |
| S3A-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3A-E3/9AT-ND | 0,13665 € | Équivalent paramétrique |
| S3A-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3A-M3/57T-ND | 0,16989 € | Équivalent paramétrique |
| S3A-M3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3A-M3/9AT-ND | 0,15092 € | Équivalent paramétrique |
| S3AHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3AHE3_A/I-ND | 0,18163 € | Équivalent paramétrique |
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Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 700 | 0,19943 € | 339,03 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,19943 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,23932 € |
