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Substituts disponibles:
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 1 402
Prix unitaire : 0,86000 €
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 3 486
Prix unitaire : 0,86000 €
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 2 077
Prix unitaire : 1,07000 €
Fiche technique
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
RS3JHE3_A/I | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | RS3JHE3_A/I-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RS3JHE3_A/I |
Description | DIODE STANDARD 600V 3A DO214AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 600 V 3A Montage en surface DO-214AB (SMC) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 10 µA @ 600 V |
Fabricant | Capacité à Vr, F 34pF à 4V, 1MHz |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 600 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 3A | Boîtier fournisseur DO-214AB (SMC) |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.3 V @ 2.5 A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | Numéro de produit de base |
Temps de recouvrement inverse (trr) 250 ns |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| RS3J-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1 402 | RS3J-E3/57TGICT-ND | 0,86000 € | Équivalent paramétrique |
| RS3J-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3 486 | RS3J-E3/9ATGICT-ND | 0,86000 € | Équivalent paramétrique |
| RS3J-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3J-M3/57T-ND | 0,17544 € | Équivalent paramétrique |
| RS3J-M3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3J-M3/9AT-ND | 0,16915 € | Équivalent paramétrique |
| RS3JHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 2 077 | 112-RS3JHE3_A/HCT-ND | 1,07000 € | Équivalent paramétrique |
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Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 500 | 0,26177 € | 916,20 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,26177 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,31412 € |
