Équivalent paramétrique
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Direct
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Mise à niveau
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Similaire
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RS1B-M3/5AT | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | RS1B-M3/5AT-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RS1B-M3/5AT |
Description | DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 100 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 150 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 100 V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité à Vr, F 10pF à 4V, 1MHz |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 100 V | Boîtier fournisseur DO-214AC (SMA) |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.3 V @ 1 A | Numéro de produit de base |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| RS1B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 754 | 112-RS1B-E3/5ATCT-ND | 0,38000 € | Équivalent paramétrique |
| RS1B-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 19 116 | RS1B-E3/61TGICT-ND | 0,38000 € | Équivalent paramétrique |
| RS1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS1BHE3_A/H-ND | 0,09203 € | Équivalent paramétrique |
| RS1BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS1BHE3_A/I-ND | 0,09155 € | Équivalent paramétrique |
| CFRA102-G | Comchip Technology | 0 | CFRA102-G-ND | 0,07399 € | Direct |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 22 500 | 0,07294 € | 1 641,15 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,07294 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,08753 € |





