


RGP25M-E3/54 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | RGP25M-E3/54GITR-ND - Bande et bobine RGP25M-E3/54GICT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RGP25M-E3/54 |
Description | DIODE STD 1000V 2.5A DO201AD |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 1000 V 2,5A Trou traversant DO-201AD |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | RGP25M-E3/54 Modèles |
Catégorie | Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fabricant | Temps de recouvrement inverse (trr) 500 ns |
Série | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 1000 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Capacité à Vr, F 60pF à 4V, 1MHz |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 1000 V | Boîtier fournisseur DO-201AD |
Courant - Moyen redressé (Io) 2,5A | Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 175°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.3 V @ 2.5 A | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BYT56K-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYT56K-TR-ND | 1,25150 € | Recommandation fabricant |
| 1N5407-G | Comchip Technology | 0 | 1N5407-G-ND | 0,09680 € | Similaire |
| 1N5407G | onsemi | 24 778 | 1N5407GOS-ND | 0,52000 € | Similaire |
| 1N5407RLG | onsemi | 6 867 | 1N5407RLGOSCT-ND | 0,51000 € | Similaire |
| EGP30K | onsemi | 757 | EGP30KCT-ND | 1,09000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,94000 € | 2,94 € |
| 10 | 1,91000 € | 19,10 € |
| 100 | 1,32480 € | 132,48 € |
| 500 | 1,07440 € | 537,20 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 400 | 0,95966 € | 1 343,52 € |
| 2 800 | 0,89750 € | 2 513,00 € |
| 4 200 | 0,86586 € | 3 636,61 € |
| 7 000 | 0,84845 € | 5 939,15 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,94000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 3,52800 € |



