Équivalent paramétrique
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Équivalent paramétrique

RGL41DHE3_A/I | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 112-RGL41DHE3_A/ITR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RGL41DHE3_A/I |
Description | DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 17 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 200 V 1A Montage en surface DO-213AB |
Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 150 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 200 V |
Série | Capacité à Vr, F 15pF à 4V, 1MHz |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 200 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Boîtier fournisseur DO-213AB |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.3 V @ 1 A | Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 175°C |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BYM11-200-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYM11-200-E3/96GICT-ND | 0,63000 € | Équivalent paramétrique |
| BYM11-200-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5 650 | 112-BYM11-200-E3/97CT-ND | 1,22000 € | Équivalent paramétrique |
| BYM11-200HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BYM11-200HE3_A/HTR-ND | 0,25550 € | Équivalent paramétrique |
| BYM11-200HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BYM11-200HE3_A/ITR-ND | 0,31478 € | Équivalent paramétrique |
| RGL41D-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 6 103 | RGL41D-E3/96GICT-ND | 1,22000 € | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10 000 | 0,25816 € | 2 581,60 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,25816 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,30979 € |


