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Substituts disponibles:
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 5 036
Prix unitaire : 0,90000 €
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 9 925
Prix unitaire : 0,90000 €
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 6 556
Prix unitaire : 1,13000 €
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 2 428
Prix unitaire : 1,14000 €
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
ES3DHM3_A/H | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 112-ES3DHM3_A/HTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | ES3DHM3_A/H |
Description | DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 200 V 3A Montage en surface DO-214AB (SMC) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 10 µA @ 200 V |
Fabricant | Capacité à Vr, F 45pF à 4V, 1MHz |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 200 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 3A | Boîtier fournisseur DO-214AB (SMC) |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 900 mV @ 3 A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | Numéro de produit de base |
Temps de recouvrement inverse (trr) 30 ns |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| ES3D-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5 036 | 112-ES3D-E3/57TCT-ND | 0,90000 € | Équivalent paramétrique |
| ES3D-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 9 925 | ES3D-E3/9ATGICT-ND | 0,90000 € | Équivalent paramétrique |
| ES3D-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 6 556 | 112-ES3D-M3/57TCT-ND | 1,13000 € | Équivalent paramétrique |
| ES3D-M3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES3D-M3/9AT-ND | 0,24195 € | Équivalent paramétrique |
| ES3DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 115 | ES3DHE3_A/HGICT-ND | 1,14000 € | Équivalent paramétrique |
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5 100 | 0,31412 € | 1 602,01 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,31412 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,37694 € |
