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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 21 389
Prix unitaire : 0,42000 €
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Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 41 593
Prix unitaire : 0,42000 €
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Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 13 758
Prix unitaire : 0,56000 €
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Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 6 973
Prix unitaire : 0,55000 €
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prix unitaire : 0,59000 €
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
ES1DHM3_A/I | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 112-ES1DHM3_A/ITR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | ES1DHM3_A/I |
Description | DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 200 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 200 V |
Fabricant | Capacité à Vr, F 10pF à 4V, 1MHz |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 200 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Boîtier fournisseur DO-214AC (SMA) |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 920 mV @ 1 A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | Numéro de produit de base |
Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| ES1D-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 21 389 | ES1D-E3/5ATGICT-ND | 0,42000 € | Équivalent paramétrique |
| ES1D-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 41 593 | ES1D-E3/61TGICT-ND | 0,42000 € | Équivalent paramétrique |
| ES1D-M3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES1D-M3/5AT-ND | 0,08616 € | Équivalent paramétrique |
| ES1D-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 13 758 | ES1D-M3/61TGICT-ND | 0,56000 € | Équivalent paramétrique |
| ES1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 6 973 | ES1DHE3_A/HGICT-ND | 0,55000 € | Équivalent paramétrique |
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 15 000 | 0,11531 € | 1 729,65 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,11531 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,13837 € |
