Name: BYM13-50HE3_A/H
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-BYM13-50HE3_A/HTR-ND
Price: 0.51281 EUR
Availability: OutOfStock

Diode 50 V 1A Montage en surface DO-213AB (MELF)

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

BYM13-50HE3_A/H
Numéro de produit DigiKey	112-BYM13-50HE3_A/HTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant	BYM13-50HE3_A/H
Description	DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 50 V 1A Montage en surface DO-213AB (MELF)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples	Courant - Fuite inverse à Vr 500 µA @ 50 V
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Capacité à Vr, F 80pF à 4V, 1MHz
Conditionnement Bande et bobine	Grade Automobile
Statut du composant Actif	Qualification AEC-Q101
Technologies Schottky	Type de montage Montage en surface
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 50 V	Boîtier DO-213AB, MELF
Courant - Moyen redressé (Io) 1A	Boîtier fournisseur DO-213AB (MELF)
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 700 mV @ 1 A	Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)